1.SEM掃描電鏡對試樣的要求：試樣可以是塊狀或是粉末顆粒，在真空中保持穩(wěn)定，含有水分的試樣應先烘干除去水分，或使用臨界點干燥設備進行處理。表面受到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下進行適當清洗，然后烘干。新斷開的斷口或斷面，一般不需要進行處理，以免破壞斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。有些試樣的表面、斷口需要進行適當?shù)那治g，才能暴露出某些結(jié)構(gòu)細節(jié)，在侵蝕后應將表面或斷口清洗干凈，然后烘干。對磁性試樣要預先去磁，以免觀察時電子束受到磁場的影響。

2.掃描電鏡的塊狀試樣制備是比較簡便的。對于塊狀導電材料，除了大小要適合儀器樣品座尺寸外，基本上不需進行什么制備，用導電膠把試樣粘結(jié)在樣品座上，即可放在SEM掃描電鏡中觀察。對于塊狀的非導電或?qū)щ娦暂^差的材料，要先進行鍍膜處理，在材料表面形成一層導電膜。以避免電荷積累，影響圖像質(zhì)量。并可以防止試樣的熱損傷。

3.粉末試樣的制備：先將導電膠或雙面膠紙粘結(jié)在樣品座上，再均勻地把粉末樣撒在上面，用洗耳球吹去沒有粘住的粉末，再鍍上一層導電膜，即可上掃描電鏡觀察。

4. SEM掃描電鏡鍍膜:鍍膜的方法有兩種，一是真空鍍膜，另一種是離子濺射鍍膜。離子濺射鍍膜的原理：在低氣壓系統(tǒng)中，氣體分子在相隔一定距離的陽尤和陰尤之間的強電場作用下電離成正離子和電子，正離子飛向陰尤，電子飛向陽尤，二電尤間形成輝光放電，在輝光放電過程中，具有一定動量的正離子撞擊陰尤，使陰尤表面的原子被逐出，稱濺射，如果陰尤表面為用來鍍膜的材料，需要鍍膜的樣品放在作為陽尤的樣品臺上，則被正離子轟擊而濺射出來的靶材原子沉積在試樣上，形成一定厚度的鍍膜層。

離子濺射時常用的氣體為惰性氣體氬，要求不高時，也可以用空氣，氣壓約為5X10*-2Torr。離子濺射鍍膜與真空鍍膜相比，其主要優(yōu)點是：①裝置結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，濺射一次只需幾分鐘，而真空鍍膜則要半個小時以上。②消耗貴金屬少，每次僅約幾毫克。③對同一種鍍膜材料，離子濺射鍍膜質(zhì)量好，能形成顆粒更細、更致密、更均勻、附著力更強的膜。因此，掃描電鏡如果需要很好的試樣制備，需要注意以上的要點，這樣測試出來的數(shù)據(jù)會更加的準確哦。